Veeco의 저온 가스 소스를 사용하면 CBr4 및 NH3 등의 MBE(분자선 결정성장) 시스템용 소스 가스를 저렴하게 주입할 수 있습니다. 이 장치에는 대형 컨덕턴스 튜브가 있어 가스 교환 속도가 빠르고 디퓨저 엔드 플레이트가 있어 성장 균일성이 우수합니다. Substrate 도달 전 열 예균열이 필요 없는 소스 가스에 이상적입니다. 장착 플랜지에 놓인 이 소스와 수소 원자 소스 또는 원추형 Dopant 소스를 결합하여 MBE 공정의 융통성과 수율을 높일 수 있습니다.

• 열 예균열 없이 가스 주입
• 질화물 성장을 위한 암모니아 소스
• 유기금속 재료에 이상적인 주입기
• 50개 이상 현장 사용 중

MBE 시스템용 Veeco 저온 가스 소스는 열 예균열 없이 저렴한 비용으로 가스를 주입할 수 있습니다. 이 소스는 대형 컨덕턴스 튜브가 있어 가스 교환 속도가 빠르고 디퓨저 엔드 플레이트가 있어 성장 균일성이 우수합니다. 고급 flux 모델링을 갖춘 엔드플레이트 홀 패턴은 특정한 MBE 시스템에 맞는 최적화된 성능으로 맞춤화되었습니다. 튜브 내의 가스 응축을 방지하기에는 충분하지만 균열을 일으키기에는 높지 않은 200°C 미만의 온도 범위까지는 진공 외부의 대역 히터로 소스를 가열합니다.

MBE 시스템에서 소스 포트를 효과적으로 사용하기 위해 수소 원자 소스 또는 원추형 Dopant 소스와 함께 이 소스를 장착 플랜지 하나에 결합할 수 있습니다. 이러한 혼합 소스의 경우 가스 주입기는 별도의 대역 히터가 딸려 있지 않으며 대신 소스 또는 수소 분해 filament로 가열됩니다.

성능 및 장점

이 소스는 다음 용도에 적합한 가스 주입기입니다.

• GaN 성장용 NH3
• C doping용 CBr4
• substrate 도달 전 열 예균열이 필요 없는 원하는 모든 소스 가스
• 우수한 균일성으로 시스템의 가스 로드를 최소화하는 beam flux 최적화

GaN 및 기타 질화물 함유 재료의 증착을 위해 MBE 성장자는 다양한 활성 질소 소스를 사용합니다. 고도로 안정적인 N2 소스 가스는 플라즈마에서 활성화해야 하는 반면 NH3는 열 예균열 없이도 충분한 증착 반응을 보입니다. 저온 가스 소스는 NH3를 성장 챔버에 주입하기에 적합합니다. 컨덕턴스 튜브를 충분히 가열(200°C 이상)하여 소스 가스의 균열을 일으키지 않고 응축을 방지합니다. 700°C – 900°C 범위의 일반적인 substrate 온도는 NH3를 바로 substrate에서 분리하기에 적합한 온도입니다.