다른 방법에 비해 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)을 통한 박막 증착의 가장 중요한 이점은 4개의 구별되는 영역(필름 형식, 저온 처리, 화학량론적 제어 및 자기 제한과 관련된 고유의 필름 품질, 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition) 메커니즘의 자기 조립 특성)에서 명백합니다. 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)는 초고 종횡비 토포그래피를 나타내는 코팅 표면뿐 아니라 적절한 품질의 인터페이스 기술을 가진 다중 레이어 필름이 필요한 표면에 매우 효과적입니다.
고도의 제어 가능한 박막을 위한 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)
자기 제한, 자체 조립 동작, 나노미터 레벨 제어에 기반한 필름 두께
다중 구성 요소 필름의 화학양론적 제어
매우 큰 영역에 걸쳐 확장 가능한 필름/프로세스
탁월한 재현성
넓은 공정 창(온도 또는 전구물질 용량 변동과 관련하여)
최저 결함 밀도
substrate 및 온도에 따라 비정질 또는 결정질 필름 유형
다층 코팅, heterostructure, 나노라미네이트, 혼합 산화물, 등급 지수 레이어 및 도핑의 미세 제어
산화물, 질화물, 금속 및 반도체에 사용할 수 있는 표준 레시피
실리콘 트렌치에 증착된 Cu2S/SnS2/ZnS 3층. CZST 필름 조성 프로파일은 상이한 열 어닐에 따라 SIMS에 의해 분석됩니다.
참조: Thimsen et al, Chemistry of Materials, 24 (16), 3188-3196 (2013). doi:10.1021/cm3015463
고도의 제어 가능한 박막을 위한 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)
탁월한 컨포멀 특성, 100% 단계 범위: 평평한 내부, 다공질 및 입자 샘플 주변에 균일한 코팅제
substrate 기하학적 구조에 맞게 원자적으로 평평하고 매끄러운 코팅
300:1 AAO 나노템플릿(470:1 final AR)에서 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)에 의해 증착된 Li5.1TaOz의 컨퍼멀 증착
참조: Liu, J. et al., J. Phys. Chem. C 117, 20260–20267 (2013).
까다로운 substrate를 위한 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition)
민감한 substrate를 위한 부드러운 증착 공정
저온 증착 가능(RT-800°C)
저전력 플라즈마 처리(최저 20-50W) 기능
폴리머, OLED 및 귀금속 표면에서 입증된 코팅
첫 번째 층에서 화학적 결합으로 인한 탁월한 접착력
분자 자기 조립으로 인한 낮은 응력
산화 알루미늄(Al2O3) – 실온에서 5E-7g/m2/일의 물 투과율(WVTR)을 갖는 ZrO2 나노라미네이트 캡슐화 – 80˚C에서 Savannah®에 증착됨
참조: Meyer, J., et al. (2009). Applied Physics Letters, 94(23), 233305